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- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2017219866A
- 申请日:2017-09-07
- 公开(公告)日:2017-12-14
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:藤川 最史 | 木村 肇
- 授权日:2017-12-01
- 公开(公告)号:JP6250859B2
- 申请日:2017-09-07
- 公开(公告)日:2017-12-20
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:藤川 最史 | 木村 肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN102692777A
- 申请日:2007-12-26
- 公开(公告)日:2012-09-26
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:藤川最史 | 木村肇
- 授权日:2015-02-25
- 公开(公告)号:CN102692777B
- 申请日:2007-12-26
- 公开(公告)日:2015-02-25
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:藤川最史 | 木村肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:KR1020080060182A
- 申请日:2007-12-26
- 公开(公告)日:2008-07-01
- 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 发明人:후지카와사이시 | 키무라하지메
- 授权日:2015-08-27
- 公开(公告)号:KR101549424B1
- 申请日:2014-02-27
- 公开(公告)日:2015-09-02
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:FUJIKAWA SAISHI | KIMURA HAJIME
- 授权日:2012-04-24
- 公开(公告)号:US8164718
- 申请日:2007-12-13
- 公开(公告)日:2012-04-24
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:FUJIKAWA, SAISHI | KIMURA, HAJIME
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2016194696A
- 申请日:2016-04-07
- 公开(公告)日:2016-11-17
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:藤川 最史 | 木村 肇
- 授权日:2014-09-26
- 公开(公告)号:JP5619310B2
- 申请日:2014-01-21
- 公开(公告)日:2014-11-05
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:藤川 最史 | 木村 肇