• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20140016053A1
  • 申请日:2013-09-12
  • 公开(公告)日:2014-01-16
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20190258117A1
  • 申请日:2019-02-26
  • 公开(公告)日:2019-08-22
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2018-05-22
  • 公开(公告)号:US9977286
  • 申请日:2017-08-16
  • 公开(公告)日:2018-05-22
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20170343874A1
  • 申请日:2017-08-16
  • 公开(公告)日:2017-11-30
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 注释
  • 授权日:2014-05-16
  • 公开(公告)号:JP5542296B2
  • 申请日:2007-05-17
  • 公开(公告)日:2014-07-09
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:2013-09-24
  • 公开(公告)号:US8542330
  • 申请日:2012-05-23
  • 公开(公告)日:2013-09-24
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20160370673A1
  • 申请日:2016-06-21
  • 公开(公告)日:2016-12-22
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20180335670A1
  • 申请日:2018-05-17
  • 公开(公告)日:2018-11-22
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2019-03-05
  • 公开(公告)号:US10222653
  • 申请日:2018-05-17
  • 公开(公告)日:2019-03-05
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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