• 授权日:2013-10-04
  • 公开(公告)号:JP5376739B2
  • 申请日:2013-04-23
  • 公开(公告)日:2013-12-25
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:2013-05-29
  • 公开(公告)号:CN101075051B
  • 申请日:2007-05-16
  • 公开(公告)日:2013-05-29
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇
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  • 授权日:2016-12-28
  • 公开(公告)号:CN103257488B
  • 申请日:2007-05-16
  • 公开(公告)日:2016-12-28
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20190033668A1
  • 申请日:2018-06-15
  • 公开(公告)日:2019-01-31
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2014-09-23
  • 公开(公告)号:US8841671
  • 申请日:2013-08-29
  • 公开(公告)日:2014-09-23
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20140063397A1
  • 申请日:2013-08-29
  • 公开(公告)日:2014-03-06
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2018-06-19
  • 公开(公告)号:US10001678
  • 申请日:2017-07-14
  • 公开(公告)日:2018-06-19
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20170307943A1
  • 申请日:2017-07-14
  • 公开(公告)日:2017-10-26
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20200117061A1
  • 申请日:2019-12-16
  • 公开(公告)日:2020-04-16
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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