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- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:KR1020200023622A
- 申请日:2020-02-25
- 公开(公告)日:2020-03-05
- 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 发明人:키무라 하지메
- 授权日:2013-05-29
- 公开(公告)号:CN101075051B
- 申请日:2007-05-16
- 公开(公告)日:2013-05-29
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇
- 授权日:2016-12-28
- 公开(公告)号:CN103257488B
- 申请日:2007-05-16
- 公开(公告)日:2016-12-28
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2017138635A
- 申请日:2017-05-23
- 公开(公告)日:2017-08-10
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2017138635A5
- 申请日:2017-05-23
- 公开(公告)日:2017-09-21
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2018036673A
- 申请日:2017-11-27
- 公开(公告)日:2018-03-08
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:2013-10-04
- 公开(公告)号:JP5376739B2
- 申请日:2013-04-23
- 公开(公告)日:2013-12-25
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2019200438A
- 申请日:2019-08-06
- 公开(公告)日:2019-11-21
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20190033668A1
- 申请日:2018-06-15
- 公开(公告)日:2019-01-31
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME