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  • 授权日:2019-12-23
  • 公开(公告)号:KR102060552B1
  • 申请日:2018-12-14
  • 公开(公告)日:2019-12-30
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라 하지메
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  • 授权日:2016-08-11
  • 公开(公告)号:KR101649362B1
  • 申请日:2014-10-13
  • 公开(公告)日:2016-08-18
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라하지메
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  • 授权日:2014-06-03
  • 公开(公告)号:KR101405906B1
  • 申请日:2013-10-21
  • 公开(公告)日:2014-06-17
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 注释
  • 授权日:2017-12-08
  • 公开(公告)号:JP6254315B2
  • 申请日:2017-05-23
  • 公开(公告)日:2017-12-27
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2019174844A
  • 申请日:2019-07-08
  • 公开(公告)日:2019-10-10
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 注释
  • 授权日:2013-05-29
  • 公开(公告)号:CN101075051B
  • 申请日:2007-05-16
  • 公开(公告)日:2013-05-29
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20190346723A1
  • 申请日:2019-07-24
  • 公开(公告)日:2019-11-14
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2019-12-17
  • 公开(公告)号:US10509271
  • 申请日:2019-07-24
  • 公开(公告)日:2019-12-17
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 注释
  • 授权日:2016-02-23
  • 公开(公告)号:US9268188
  • 申请日:2014-09-22
  • 公开(公告)日:2016-02-23
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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