• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020140066140A
  • 申请日:2014-05-02
  • 公开(公告)日:2014-05-30
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라하지메
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020150016395A
  • 申请日:2015-01-15
  • 公开(公告)日:2015-02-11
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라하지메
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020150083069A
  • 申请日:2015-07-01
  • 公开(公告)日:2015-07-16
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라하지메
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  • 授权日:2013-05-29
  • 公开(公告)号:CN101075051B
  • 申请日:2007-05-16
  • 公开(公告)日:2013-05-29
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇
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  • 授权日:2016-12-28
  • 公开(公告)号:CN103257488B
  • 申请日:2007-05-16
  • 公开(公告)日:2016-12-28
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2020016908A
  • 申请日:2019-10-31
  • 公开(公告)日:2020-01-30
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:2016-02-23
  • 公开(公告)号:US9268188
  • 申请日:2014-09-22
  • 公开(公告)日:2016-02-23
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20150070621A1
  • 申请日:2014-09-22
  • 公开(公告)日:2015-03-12
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2017-07-18
  • 公开(公告)号:US9709861
  • 申请日:2016-02-19
  • 公开(公告)日:2017-07-18
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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