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- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN106873259A
- 申请日:2007-05-16
- 公开(公告)日:2017-06-20
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN103257488A
- 申请日:2007-05-16
- 公开(公告)日:2013-08-21
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇
- 授权日:2017-12-08
- 公开(公告)号:JP6254315B2
- 申请日:2017-05-23
- 公开(公告)日:2017-12-27
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:2016-07-08
- 公开(公告)号:JP5965974B2
- 申请日:2014-12-01
- 公开(公告)日:2016-08-10
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2013214078A
- 申请日:2013-05-17
- 公开(公告)日:2013-10-17
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2019174844A
- 申请日:2019-07-08
- 公开(公告)日:2019-10-10
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20190033668A1
- 申请日:2018-06-15
- 公开(公告)日:2019-01-31
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME
- 授权日:2014-09-23
- 公开(公告)号:US8841671
- 申请日:2013-08-29
- 公开(公告)日:2014-09-23
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20140063397A1
- 申请日:2013-08-29
- 公开(公告)日:2014-03-06
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME