• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN106873259A
  • 申请日:2007-05-16
  • 公开(公告)日:2017-06-20
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN103257488A
  • 申请日:2007-05-16
  • 公开(公告)日:2013-08-21
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇
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  • 授权日:2017-12-08
  • 公开(公告)号:JP6254315B2
  • 申请日:2017-05-23
  • 公开(公告)日:2017-12-27
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:2016-07-08
  • 公开(公告)号:JP5965974B2
  • 申请日:2014-12-01
  • 公开(公告)日:2016-08-10
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2013214078A
  • 申请日:2013-05-17
  • 公开(公告)日:2013-10-17
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2019174844A
  • 申请日:2019-07-08
  • 公开(公告)日:2019-10-10
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20190033668A1
  • 申请日:2018-06-15
  • 公开(公告)日:2019-01-31
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2014-09-23
  • 公开(公告)号:US8841671
  • 申请日:2013-08-29
  • 公开(公告)日:2014-09-23
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20140063397A1
  • 申请日:2013-08-29
  • 公开(公告)日:2014-03-06
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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