• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020140117325A
  • 申请日:2014-09-01
  • 公开(公告)日:2014-10-07
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라하지메
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020140131493A
  • 申请日:2014-10-13
  • 公开(公告)日:2014-11-13
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라하지메
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  • 授权日:2014-09-23
  • 公开(公告)号:US8841671
  • 申请日:2013-08-29
  • 公开(公告)日:2014-09-23
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20140063397A1
  • 申请日:2013-08-29
  • 公开(公告)日:2014-03-06
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2018-06-19
  • 公开(公告)号:US10001678
  • 申请日:2017-07-14
  • 公开(公告)日:2018-06-19
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20170307943A1
  • 申请日:2017-07-14
  • 公开(公告)日:2017-10-26
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2017138635A
  • 申请日:2017-05-23
  • 公开(公告)日:2017-08-10
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:2019-11-08
  • 公开(公告)号:JP6613003B2
  • 申请日:2019-03-18
  • 公开(公告)日:2019-11-27
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2019124954A
  • 申请日:2019-03-18
  • 公开(公告)日:2019-07-25
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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