• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2001235758A
  • 申请日:2000-02-23
  • 公开(公告)日:2001-08-31
  • 当前申请(专利权)人:富士通株式会社
  • 发明人:篠田 克毅
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2008287032A5
  • 申请日:2007-05-17
  • 公开(公告)日:2010-06-24
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:2014-05-16
  • 公开(公告)号:JP5542297B2
  • 申请日:2007-05-17
  • 公开(公告)日:2014-07-09
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:2014-04-29
  • 公开(公告)号:US8711314
  • 申请日:2013-03-11
  • 公开(公告)日:2014-04-29
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2016-05-17
  • 公开(公告)号:US9341908
  • 申请日:2014-04-28
  • 公开(公告)日:2016-05-17
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20180210251A1
  • 申请日:2017-12-22
  • 公开(公告)日:2018-07-26
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 注释
  • 授权日:2019-05-07
  • 公开(公告)号:US10281788
  • 申请日:2017-12-22
  • 公开(公告)日:2019-05-07
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20190324307A1
  • 申请日:2019-04-29
  • 公开(公告)日:2019-10-24
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20140231807A1
  • 申请日:2014-04-28
  • 公开(公告)日:2014-08-21
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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