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- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2016128912A
- 申请日:2016-01-15
- 公开(公告)日:2016-07-14
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:保坂 泰靖 | 島 行徳 | 岡崎 健一 | 山崎 舜平
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2018032034A
- 申请日:2017-09-07
- 公开(公告)日:2018-03-01
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:保坂 泰靖 | 島 行徳 | 岡崎 健一 | 山崎 舜平
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:KR1020070042454A
- 申请日:2006-10-12
- 公开(公告)日:2007-04-23
- 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 发明人:UOCHI, HIDEKI
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN1952740A
- 申请日:2006-10-18
- 公开(公告)日:2007-04-25
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:鱼地秀贵
- 授权日:2014-01-21
- 公开(公告)号:KR101356092B1
- 申请日:2006-10-12
- 公开(公告)日:2014-01-27
- 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 发明人:UOCHI, HIDEKI
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20070126968A1
- 申请日:2006-10-10
- 公开(公告)日:2007-06-07
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:UOCHI, HIDEKI
- 授权日:2014-12-17
- 公开(公告)号:CN102707521B
- 申请日:2006-10-18
- 公开(公告)日:2014-12-17
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:鱼地秀贵
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN102707521A
- 申请日:2006-10-18
- 公开(公告)日:2012-10-03
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:鱼地秀贵
- 授权日:2012-07-18
- 公开(公告)号:CN1952740B
- 申请日:2006-10-18
- 公开(公告)日:2012-07-18
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:鱼地秀贵