• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20190064566A1
  • 申请日:2018-10-30
  • 公开(公告)日:2019-02-28
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:HOSAKA, YASUHARU | SHIMA, YUKINORI | OKAZAKI, KENICHI | YAMAZAKI, SHUNPEI
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  • 授权日:2019-12-24
  • 公开(公告)号:US10514580
  • 申请日:2018-10-30
  • 公开(公告)日:2019-12-24
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:HOSAKA, YASUHARU | SHIMA, YUKINORI | OKAZAKI, KENICHI | YAMAZAKI, SHUNPEI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20160147099A1
  • 申请日:2016-02-01
  • 公开(公告)日:2016-05-26
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:HOSAKA, YASUHARU | SHIMA, YUKINORI | OKAZAKI, KENICHI | YAMAZAKI, SHUNPEI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2014038323A
  • 申请日:2013-07-18
  • 公开(公告)日:2014-02-27
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:保坂 泰靖 | 島 行徳 | 岡崎 健一 | 山崎 舜平
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  • 授权日:2018-08-10
  • 公开(公告)号:CN104488016B
  • 申请日:2013-07-10
  • 公开(公告)日:2018-08-10
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:保坂泰靖 | 岛行德 | 冈崎健一 | 山崎舜平
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN104488016A
  • 申请日:2013-07-10
  • 公开(公告)日:2015-04-01
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:保坂泰靖 | 岛行德 | 冈崎健一 | 山崎舜平
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  • 授权日:2016-12-16
  • 公开(公告)号:JP6058832B2
  • 申请日:2016-01-15
  • 公开(公告)日:2017-01-11
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:保坂 泰靖 | 島 行徳 | 岡崎 健一 | 山崎 舜平
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2014038323A5
  • 申请日:2013-07-18
  • 公开(公告)日:2017-02-09
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:保坂 泰靖 | 島 行徳 | 岡崎 健一 | 山崎 舜平
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标题
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  • 授权日:2019-07-12
  • 公开(公告)号:JP6552567B2
  • 申请日:2017-09-07
  • 公开(公告)日:2019-07-31
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:保坂 泰靖 | 島 行徳 | 岡崎 健一 | 山崎 舜平
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