• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20100245724A1
  • 申请日:2010-03-16
  • 公开(公告)日:2010-09-30
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:NISHI, TAKESHI | ISHITANI, TETSUJI | KUBOTA, DAISUKE
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  • 授权日:2003-10-27
  • 公开(公告)号:KR100404701B1
  • 申请日:2001-02-27
  • 公开(公告)日:2003-11-10
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
  • 发明人:다무라다꾸오 | 오가따기요시 | 다까하라요우이찌 | 야마구찌히로나루 | 기무라요시노부 | 오꾸라마꼬또 | 아베히로노부 | 시모무라시게오 | 사이또우마사까즈 | 다까하시미찌꼬
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020080082897A
  • 申请日:2008-01-30
  • 公开(公告)日:2008-09-12
  • 当前申请(专利权)人:가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지
  • 发明人:아까이아끼히또 | 구도야스유끼 | 오까도가즈오
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  • 授权日:2009-10-05
  • 公开(公告)号:KR100921312B1
  • 申请日:2008-01-30
  • 公开(公告)日:2009-10-13
  • 当前申请(专利权)人:가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지
  • 发明人:아까이아끼히또 | 구도야스유끼 | 오까도가즈오
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  • 注释
  • 授权日:2011-04-20
  • 公开(公告)号:CN101261801B
  • 申请日:2008-01-31
  • 公开(公告)日:2011-04-20
  • 当前申请(专利权)人:瑞萨电子株式会社
  • 发明人:赤井亮仁 | 工藤泰幸 | 大门一夫
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2010250306A
  • 申请日:2010-03-25
  • 公开(公告)日:2010-11-04
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:西 毅 | 石谷 哲二 | 久保田 大介
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  • 授权日:2004-10-15
  • 公开(公告)号:JP3607197B2
  • 申请日:2000-12-26
  • 公开(公告)日:2005-01-05
  • 当前申请(专利权)人:シャープ株式会社
  • 发明人:藤野 宏晃
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2002196726A
  • 申请日:2000-12-26
  • 公开(公告)日:2002-07-12
  • 当前申请(专利权)人:シャープ株式会社
  • 发明人:藤野 宏晃
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  • 注释
  • 授权日:2012-06-01
  • 公开(公告)号:JP5002914B2
  • 申请日:2005-06-10
  • 公开(公告)日:2012-08-15
  • 当前申请(专利权)人:ソニー株式会社
  • 发明人:櫻井 洋介
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