• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020100108249A
  • 申请日:2010-03-25
  • 公开(公告)日:2010-10-06
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:기무라하지메 | 우메자키아츠시
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020170023913A
  • 申请日:2017-02-23
  • 公开(公告)日:2017-03-06
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:기무라하지메 | 우메자키아츠시
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:EP2234100A3
  • 申请日:2010-03-12
  • 公开(公告)日:2011-06-01
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UMEZAKI, ATSUSHI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:EP2234100A2
  • 申请日:2010-03-12
  • 公开(公告)日:2010-09-29
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UMEZAKI, ATSUSHI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN104200788A
  • 申请日:2010-03-26
  • 公开(公告)日:2014-12-10
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇 | 梅崎敦司
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN101847388A
  • 申请日:2010-03-26
  • 公开(公告)日:2010-09-29
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇 | 梅崎敦司
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  • 授权日:2017-09-21
  • 公开(公告)号:KR101782328B1
  • 申请日:2017-02-23
  • 公开(公告)日:2017-09-27
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:기무라하지메 | 우메자키아츠시
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  • 授权日:2011-02-15
  • 公开(公告)号:US7889300
  • 申请日:2009-11-09
  • 公开(公告)日:2011-02-15
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20100053519A1
  • 申请日:2009-11-09
  • 公开(公告)日:2010-03-04
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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