• 授权日:2006-06-27
  • 公开(公告)号:US7068255
  • 申请日:2005-01-18
  • 公开(公告)日:2006-06-27
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:HIRAKATA, YOSHIHARU
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20050122320A1
  • 申请日:2005-01-18
  • 公开(公告)日:2005-06-09
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:HIRAKATA, YOSHIHARU
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  • 授权日:2009-10-13
  • 公开(公告)号:US7602373
  • 申请日:2006-06-23
  • 公开(公告)日:2009-10-13
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:HIRAKATA, YOSHIHARU
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN1748176A
  • 申请日:2004-01-29
  • 公开(公告)日:2006-03-15
  • 当前申请(专利权)人:3M创新有限公司
  • 发明人:弗雷德·J·罗斯卡 | 理查德·C·艾伦 | 马修·B·约翰逊 | 史蒂文·J·赖纳 | 威廉·W·梅里尔 | 琼·M·斯特罗贝尔 | 凯文·M·哈默 | 格雷戈里·E·吉利根
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  • 授权日:2009-07-29
  • 公开(公告)号:CN100520532C
  • 申请日:2004-01-29
  • 公开(公告)日:2009-07-29
  • 当前申请(专利权)人:3M创新有限公司
  • 发明人:弗雷德·J·罗斯卡 | 理查德·C·艾伦 | 马修·B·约翰逊 | 史蒂文·J·赖纳 | 威廉·W·梅里尔 | 琼·M·斯特罗贝尔 | 凯文·M·哈默 | 格雷戈里·E·吉利根
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  • 注释
  • 授权日:2014-08-12
  • 公开(公告)号:US8803792
  • 申请日:2012-07-02
  • 公开(公告)日:2014-08-12
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:HIRAKATA, YOSHIHARU
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020040064284A
  • 申请日:2002-11-19
  • 公开(公告)日:2004-07-16
  • 当前申请(专利权)人:톰슨 라이센싱
  • 发明人:보렐,띠에리 | 도엥,디디에르
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  • 授权日:2010-12-30
  • 公开(公告)号:KR101006436B1
  • 申请日:2003-11-18
  • 公开(公告)日:2011-01-06
  • 当前申请(专利权)人:삼성전자주식회사
  • 发明人:박명재 | 이영준 | 박형준 | 공향식
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2002363266A
  • 申请日:2001-06-07
  • 公开(公告)日:2002-12-18
  • 当前申请(专利权)人:JX日鉱日石エネルギー株式会社
  • 发明人:佐藤 康司 | 上撫 忠広 | 真崎 仁詩
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