• 授权日:2017-12-05
  • 公开(公告)号:US9835912
  • 申请日:2016-08-10
  • 公开(公告)日:2017-12-05
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2019-02-12
  • 公开(公告)号:US10203571
  • 申请日:2017-11-30
  • 公开(公告)日:2019-02-12
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20100245749A1
  • 申请日:2010-06-16
  • 公开(公告)日:2010-09-30
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2012-06-01
  • 公开(公告)号:JP5005076B2
  • 申请日:2010-07-30
  • 公开(公告)日:2012-08-22
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:EP2479604A3
  • 申请日:2006-11-29
  • 公开(公告)日:2012-09-26
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:EP2479604A2
  • 申请日:2006-11-29
  • 公开(公告)日:2012-07-25
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20180081247A1
  • 申请日:2017-11-30
  • 公开(公告)日:2018-03-22
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020020046172A
  • 申请日:2001-12-06
  • 公开(公告)日:2002-06-20
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
  • 发明人:시미즈히로마사 | 하마모토타쯔오
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2005-05-06
  • 公开(公告)号:KR100489763B1
  • 申请日:2001-12-06
  • 公开(公告)日:2005-05-16
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
  • 发明人:시미즈히로마사 | 하마모토타쯔오
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
首页
< 上一页
下一页 >
末页