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- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2017062509A
- 申请日:2016-12-21
- 公开(公告)日:2017-03-30
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:山崎 舜平 | 荒澤 亮 | 小山 潤 | 津吹 将志 | 野田 耕生
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2011141522A
- 申请日:2010-10-12
- 公开(公告)日:2011-07-21
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:山崎 舜平 | 荒澤 亮 | 小山 潤 | 津吹 将志 | 野田 耕生
- 授权日:2013-04-26
- 公开(公告)号:JP5256374B2
- 申请日:2012-12-05
- 公开(公告)日:2013-08-07
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:山崎 舜平 | 荒澤 亮 | 小山 潤 | 津吹 将志 | 野田 耕生
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2013061672A
- 申请日:2012-12-05
- 公开(公告)日:2013-04-04
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:山崎 舜平 | 荒澤 亮 | 小山 潤 | 津吹 将志 | 野田 耕生
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:KR1020120094927A
- 申请日:2010-09-17
- 公开(公告)日:2012-08-27
- 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 发明人:야마자키순페이 | 아라사와료 | 고야마준 | 쓰부쿠마사시 | 노다고세이
- 授权日:2017-03-13
- 公开(公告)号:KR101717460B1
- 申请日:2010-09-17
- 公开(公告)日:2017-03-17
- 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 发明人:야마자키순페이 | 아라사와료 | 고야마준 | 쓰부쿠마사시 | 노다고세이
- 授权日:2014-07-30
- 公开(公告)号:KR101426723B1
- 申请日:2010-09-17
- 公开(公告)日:2014-08-07
- 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 发明人:야마자키순페이 | 아라사와료 | 고야마준 | 쓰부쿠마사시 | 노다고세이
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:KR1020130042064A
- 申请日:2010-09-17
- 公开(公告)日:2013-04-25
- 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 发明人:야마자키순페이 | 아라사와료 | 고야마준 | 쓰부쿠마사시 | 노다고세이
- 授权日:2014-10-07
- 公开(公告)号:US8854286
- 申请日:2010-10-08
- 公开(公告)日:2014-10-07
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:YAMAZAKI, SHUNPEI | ARASAWA, RYO | KOYAMA, JUN | TSUBUKU, MASASHI | NODA, KOSEI