• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2011141522A
  • 申请日:2010-10-12
  • 公开(公告)日:2011-07-21
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:山崎 舜平 | 荒澤 亮 | 小山 潤 | 津吹 将志 | 野田 耕生
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  • 授权日:2016-06-14
  • 公开(公告)号:US9368082
  • 申请日:2014-09-04
  • 公开(公告)日:2016-06-14
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAZAKI, SHUNPEI | ARASAWA, RYO | KOYAMA, JUN | TSUBUKU, MASASHI | NODA, KOSEI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20140368417A1
  • 申请日:2014-09-04
  • 公开(公告)日:2014-12-18
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAZAKI, SHUNPEI | ARASAWA, RYO | KOYAMA, JUN | TSUBUKU, MASASHI | NODA, KOSEI
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  • 授权日:2018-05-01
  • 公开(公告)号:US9959822
  • 申请日:2016-04-21
  • 公开(公告)日:2018-05-01
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAZAKI, SHUNPEI | ARASAWA, RYO | KOYAMA, JUN | TSUBUKU, MASASHI | NODA, KOSEI
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  • 授权日:2014-10-07
  • 公开(公告)号:US8854286
  • 申请日:2010-10-08
  • 公开(公告)日:2014-10-07
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAZAKI, SHUNPEI | ARASAWA, RYO | KOYAMA, JUN | TSUBUKU, MASASHI | NODA, KOSEI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020180064549A
  • 申请日:2010-09-17
  • 公开(公告)日:2018-06-14
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:야마자키순페이 | 아라사와료 | 고야마준 | 쓰부쿠마사시 | 노다고세이
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  • 授权日:2019-03-21
  • 公开(公告)号:KR101962603B1
  • 申请日:2010-09-17
  • 公开(公告)日:2019-03-28
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:야마자키 순페이 | 아라사와 료 | 고야마 준 | 쓰부쿠 마사시 | 노다 고세이
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  • 授权日:2018-06-01
  • 公开(公告)号:KR101865546B1
  • 申请日:2010-09-17
  • 公开(公告)日:2018-06-11
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:야마자키순페이 | 아라사와료 | 고야마준 | 쓰부쿠마사시 | 노다고세이
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020170129970A
  • 申请日:2010-09-17
  • 公开(公告)日:2017-11-27
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:야마자키순페이 | 아라사와료 | 고야마준 | 쓰부쿠마사시 | 노다고세이
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