• 授权日:2019-01-01
  • 公开(公告)号:CN105761688B
  • 申请日:2010-12-22
  • 公开(公告)日:2019-01-01
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:丰高耕平 | 楠纮慈
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN105761688A
  • 申请日:2010-12-22
  • 公开(公告)日:2016-07-13
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:丰高耕平 | 楠纮慈
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2015-12-15
  • 公开(公告)号:US9214121
  • 申请日:2011-01-13
  • 公开(公告)日:2015-12-15
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:TOYOTAKA, KOUHEI | KUSUNOKI, KOJI
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2016-09-20
  • 公开(公告)号:US9448451
  • 申请日:2015-06-25
  • 公开(公告)日:2016-09-20
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:TOYOTAKA, KOUHEI | KUSUNOKI, KOJI
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2012-08-22
  • 公开(公告)号:CN101322067B
  • 申请日:2006-11-13
  • 公开(公告)日:2012-08-22
  • 当前申请(专利权)人:夏普株式会社
  • 发明人:箱井博之 | 井上威一郎 | 宫地弘一
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN101322067A
  • 申请日:2006-11-13
  • 公开(公告)日:2008-12-10
  • 当前申请(专利权)人:夏普株式会社
  • 发明人:箱井博之 | 井上威一郎 | 宫地弘一
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20090279044A1
  • 申请日:2006-11-13
  • 公开(公告)日:2009-11-12
  • 当前申请(专利权)人:SHARP KABUSHIKI KAISHA
  • 发明人:HAKOI, HIROYUKI | INOUE, IICHIRO | MIYACHI, KOICHI
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2012-03-06
  • 公开(公告)号:US8130348
  • 申请日:2006-11-13
  • 公开(公告)日:2012-03-06
  • 当前申请(专利权)人:SHARP KABUSHIKI KAISHA
  • 发明人:HAKOI, HIROYUKI | INOUE, IICHIRO | MIYACHI, KOICHI
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2007328358A
  • 申请日:2007-07-23
  • 公开(公告)日:2007-12-20
  • 当前申请(专利权)人:ソニー株式会社
  • 发明人:豊澤 昇 | 仲島 義晴
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
首页
< 上一页
下一页 >
末页