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- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2015148828A
- 申请日:2015-05-26
- 公开(公告)日:2015-08-20
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN101051134A
- 申请日:2007-04-06
- 公开(公告)日:2007-10-10
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇
- 授权日:2018-05-01
- 公开(公告)号:US9958736
- 申请日:2015-12-03
- 公开(公告)日:2018-05-01
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20190004380A1
- 申请日:2018-04-26
- 公开(公告)日:2019-01-03
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME
- 授权日:2015-12-08
- 公开(公告)号:US9207504
- 申请日:2010-10-14
- 公开(公告)日:2015-12-08
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20070236640A1
- 申请日:2007-04-03
- 公开(公告)日:2007-10-11
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME
- 授权日:2014-09-26
- 公开(公告)号:JP5619247B2
- 申请日:2013-10-07
- 公开(公告)日:2014-11-05
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:2016-09-30
- 公开(公告)号:JP6012798B2
- 申请日:2015-03-11
- 公开(公告)日:2016-10-25
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2017037316A
- 申请日:2016-09-16
- 公开(公告)日:2017-02-16
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇