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- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:EP2924498A1
- 申请日:2007-03-20
- 公开(公告)日:2015-09-30
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO, LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN103257492A
- 申请日:2007-04-06
- 公开(公告)日:2013-08-21
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN110262140A
- 申请日:2007-04-06
- 公开(公告)日:2019-09-20
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN104950536A
- 申请日:2007-04-06
- 公开(公告)日:2015-09-30
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20070236640A1
- 申请日:2007-04-03
- 公开(公告)日:2007-10-11
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2014044428A
- 申请日:2013-10-07
- 公开(公告)日:2014-03-13
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2015156024A
- 申请日:2015-03-11
- 公开(公告)日:2015-08-27
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN101051134A
- 申请日:2007-04-06
- 公开(公告)日:2007-10-10
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20190004380A1
- 申请日:2018-04-26
- 公开(公告)日:2019-01-03
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME