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- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2014002392A
- 申请日:2013-07-16
- 公开(公告)日:2014-01-09
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:2013-10-04
- 公开(公告)号:JP5376740B2
- 申请日:2013-08-23
- 公开(公告)日:2013-12-25
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2015148828A
- 申请日:2015-05-26
- 公开(公告)日:2015-08-20
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2015156024A
- 申请日:2015-03-11
- 公开(公告)日:2015-08-27
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20190004380A1
- 申请日:2018-04-26
- 公开(公告)日:2019-01-03
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20160154283A1
- 申请日:2015-12-03
- 公开(公告)日:2016-06-02
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME
- 授权日:2020-06-16
- 公开(公告)号:US10684517
- 申请日:2018-04-26
- 公开(公告)日:2020-06-16
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:EP2924498A1
- 申请日:2007-03-20
- 公开(公告)日:2015-09-30
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO, LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME
- 授权日:2013-06-14
- 公开(公告)号:JP5288665B2
- 申请日:2012-10-16
- 公开(公告)日:2013-09-11
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇