• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020010108998A
  • 申请日:2000-06-01
  • 公开(公告)日:2001-12-08
  • 当前申请(专利权)人:하이디스 테크놀로지 주식회사
  • 发明人:김향율 | 이승희 | 홍승호
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  • 授权日:2007-01-12
  • 公开(公告)号:KR100671509B1
  • 申请日:2000-06-01
  • 公开(公告)日:2007-01-19
  • 当前申请(专利权)人:하이디스 테크놀로지 주식회사
  • 发明人:김향율 | 이승희 | 홍승호
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20010048501A1
  • 申请日:2001-05-31
  • 公开(公告)日:2001-12-06
  • 当前申请(专利权)人:BOE-HYDIS TECHNOLOGY CO., LTD.
  • 发明人:KIM, HYANG YUL | LEE, SEUNG HEE | HONG, SEUNG HO
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2002031812A
  • 申请日:2001-05-31
  • 公开(公告)日:2002-01-31
  • 当前申请(专利权)人:ビオイ ハイディス テクノロジー カンパニー リミテッド
  • 发明人:金 香 律 | 李 升 煕 | 洪 承 湖
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  • 注释
  • 授权日:2003-11-04
  • 公开(公告)号:US6642985
  • 申请日:2001-05-31
  • 公开(公告)日:2003-11-04
  • 当前申请(专利权)人:BOE-HYDIS TECHNOLOGY CO., LTD.
  • 发明人:KIM, HYANG YUL | LEE, SEUNG HEE | HONG, SEUNG HO
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20070236640A1
  • 申请日:2007-04-03
  • 公开(公告)日:2007-10-11
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2014044428A
  • 申请日:2013-10-07
  • 公开(公告)日:2014-03-13
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20190004380A1
  • 申请日:2018-04-26
  • 公开(公告)日:2019-01-03
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 注释
  • 授权日:2018-05-01
  • 公开(公告)号:US9958736
  • 申请日:2015-12-03
  • 公开(公告)日:2018-05-01
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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