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- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2019124961A
- 申请日:2019-04-04
- 公开(公告)日:2019-07-25
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:豊高 耕平 | 楠 紘慈
- 授权日:2019-04-12
- 公开(公告)号:JP6510569B6
- 申请日:2017-01-16
- 公开(公告)日:2019-05-08
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:豊高 耕平 | 楠 紘慈
- 授权日:2011-06-10
- 公开(公告)号:JP4757308B2
- 申请日:2006-11-13
- 公开(公告)日:2011-08-24
- 当前申请(专利权)人:シャープ株式会社
- 发明人:箱井 博之 | 井上 威一郎 | 宮地 弘一
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2009517697A
- 申请日:2006-11-13
- 公开(公告)日:2009-04-30
- 当前申请(专利权)人:シャープ株式会社
- 发明人:箱井 博之 | 井上 威一郎 | 宮地 弘一
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2005133057A
- 申请日:2004-02-26
- 公开(公告)日:2005-05-26
- 当前申请(专利权)人:ネモプティック
- 发明人:ジャン‐クロード、デュボワ | ディディエ、ギャレール | ステファン、ジョリ | イバン、エヌ、ドゾフ | フィリップ、マルティノ‐ラガルド | ダニエル、エヌ、ストエネスク
- 授权日:2017-12-26
- 公开(公告)号:US9852703
- 申请日:2010-12-22
- 公开(公告)日:2017-12-26
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:MIYAKE, HIROYUKI
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2011150307A5
- 申请日:2010-12-13
- 公开(公告)日:2014-01-09
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:三宅 博之
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2011150307A
- 申请日:2010-12-13
- 公开(公告)日:2011-08-04
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:三宅 博之
- 授权日:2015-07-28
- 公开(公告)号:KR101541474B1
- 申请日:2010-11-26
- 公开(公告)日:2015-08-03
- 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 发明人:미야케히로유키