• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2019124961A
  • 申请日:2019-04-04
  • 公开(公告)日:2019-07-25
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:豊高 耕平 | 楠 紘慈
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  • 授权日:2019-04-12
  • 公开(公告)号:JP6510569B6
  • 申请日:2017-01-16
  • 公开(公告)日:2019-05-08
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:豊高 耕平 | 楠 紘慈
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  • 授权日:2011-06-10
  • 公开(公告)号:JP4757308B2
  • 申请日:2006-11-13
  • 公开(公告)日:2011-08-24
  • 当前申请(专利权)人:シャープ株式会社
  • 发明人:箱井 博之 | 井上 威一郎 | 宮地 弘一
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2009517697A
  • 申请日:2006-11-13
  • 公开(公告)日:2009-04-30
  • 当前申请(专利权)人:シャープ株式会社
  • 发明人:箱井 博之 | 井上 威一郎 | 宮地 弘一
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2005133057A
  • 申请日:2004-02-26
  • 公开(公告)日:2005-05-26
  • 当前申请(专利权)人:ネモプティック
  • 发明人:ジャン‐クロード、デュボワ | ディディエ、ギャレール | ステファン、ジョリ | イバン、エヌ、ドゾフ | フィリップ、マルティノ‐ラガルド | ダニエル、エヌ、ストエネスク
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  • 授权日:2017-12-26
  • 公开(公告)号:US9852703
  • 申请日:2010-12-22
  • 公开(公告)日:2017-12-26
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:MIYAKE, HIROYUKI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2011150307A5
  • 申请日:2010-12-13
  • 公开(公告)日:2014-01-09
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:三宅 博之
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2011150307A
  • 申请日:2010-12-13
  • 公开(公告)日:2011-08-04
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:三宅 博之
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  • 授权日:2015-07-28
  • 公开(公告)号:KR101541474B1
  • 申请日:2010-11-26
  • 公开(公告)日:2015-08-03
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:미야케히로유키
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