• 授权日:2017-02-14
  • 公开(公告)号:US9570017
  • 申请日:2016-05-24
  • 公开(公告)日:2017-02-14
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YOSHIDA, YASUNORI | KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2015-07-21
  • 公开(公告)号:KR101539606B1
  • 申请日:2007-12-05
  • 公开(公告)日:2015-07-27
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:요시다야스노리 | 키무라하지메
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  • 授权日:2015-05-22
  • 公开(公告)号:KR101524081B1
  • 申请日:2014-03-14
  • 公开(公告)日:2015-06-01
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:요시다야스노리 | 키무라하지메
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020140040791A
  • 申请日:2014-03-14
  • 公开(公告)日:2014-04-03
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:요시다야스노리 | 키무라하지메
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  • 授权日:2013-01-18
  • 公开(公告)号:JP5177999B2
  • 申请日:2006-12-05
  • 公开(公告)日:2013-04-10
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:吉田 泰則 | 木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20140139568A1
  • 申请日:2014-01-24
  • 公开(公告)日:2014-05-22
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YOSHIDA, YASUNORI | KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2015-02-25
  • 公开(公告)号:CN102930815B
  • 申请日:2007-12-05
  • 公开(公告)日:2015-02-25
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:吉田泰则 | 木村肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN102930815A
  • 申请日:2007-12-05
  • 公开(公告)日:2013-02-13
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:吉田泰则 | 木村肇
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  • 授权日:2012-12-26
  • 公开(公告)号:CN101196663B
  • 申请日:2007-12-05
  • 公开(公告)日:2012-12-26
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:吉田泰则 | 木村肇
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