• 授权日:2010-09-03
  • 公开(公告)号:JP4578915B2
  • 申请日:2004-09-30
  • 公开(公告)日:2010-11-10
  • 当前申请(专利权)人:シャープ株式会社
  • 发明人:岡田 美広 | 仲村 健志 | 岡崎 庄治
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2020034922A
  • 申请日:2019-10-09
  • 公开(公告)日:2020-03-05
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:山崎 舜平 | 津吹 将志 | 郷戸 宏充
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  • 授权日:2010-12-28
  • 公开(公告)号:US7859622
  • 申请日:2010-03-30
  • 公开(公告)日:2010-12-28
  • 当前申请(专利权)人:DAI NIPPON PRINTING CO., LTD.
  • 发明人:KASHIMA, KEIJI | KURODA, TAKASHI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20100182545A1
  • 申请日:2010-03-30
  • 公开(公告)日:2010-07-22
  • 当前申请(专利权)人:DAI NIPPON PRINTING CO., LTD.
  • 发明人:KASHIMA, KEIJI | KURODA, TAKASHI
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20060152656A1
  • 申请日:2004-07-20
  • 公开(公告)日:2006-07-13
  • 当前申请(专利权)人:DAI NIPPON PRINTING CO., LTD.
  • 发明人:KASHIMA, KEIJI | KURODA, TAKASHI
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20090027580A1
  • 申请日:2008-07-15
  • 公开(公告)日:2009-01-29
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KUROKAWA, YOSHIYUKI | IKEDA, TAKAYUKI | OSADA, TAKESHI | INOUE, TAKAYUKI
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  • 授权日:2012-12-11
  • 公开(公告)号:US8330887
  • 申请日:2008-07-15
  • 公开(公告)日:2012-12-11
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KUROKAWA, YOSHIYUKI | IKEDA, TAKAYUKI | OSADA, TAKESHI | INOUE, TAKAYUKI
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2020079956A
  • 申请日:2020-02-21
  • 公开(公告)日:2020-05-28
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:黒川 義元 | 池田 隆之 | 長多 剛 | 井上 卓之
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标题
表示装置
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2019061287A
  • 申请日:2019-01-15
  • 公开(公告)日:2019-04-18
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:黒川 義元 | 池田 隆之 | 長多 剛 | 井上 卓之
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