• 授权日:2017-01-02
  • 公开(公告)号:KR101693818B1
  • 申请日:2016-08-03
  • 公开(公告)日:2017-01-06
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라하지메
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020200006158A
  • 申请日:2020-01-09
  • 公开(公告)日:2020-01-17
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라 하지메
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20170329194A1
  • 申请日:2017-08-04
  • 公开(公告)日:2017-11-16
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2019-09-17
  • 公开(公告)号:US10416517
  • 申请日:2017-08-04
  • 公开(公告)日:2019-09-17
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2010140023A
  • 申请日:2009-11-11
  • 公开(公告)日:2010-06-24
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20190346728A1
  • 申请日:2019-07-23
  • 公开(公告)日:2019-11-14
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2016-08-09
  • 公开(公告)号:KR101648520B1
  • 申请日:2016-03-04
  • 公开(公告)日:2016-08-16
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:키무라하지메
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020100054729A
  • 申请日:2009-11-11
  • 公开(公告)日:2010-05-25
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2012-07-31
  • 公开(公告)号:US8232947
  • 申请日:2009-11-09
  • 公开(公告)日:2012-07-31
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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