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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2019148814A5
  • 申请日:2019-04-18
  • 公开(公告)日:2020-03-12
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:石谷 哲二 | 久保田 大介
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020160095655A
  • 申请日:2016-07-29
  • 公开(公告)日:2016-08-11
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:이시타니테츠지 | 쿠보타다이스케
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020100061366A
  • 申请日:2009-11-25
  • 公开(公告)日:2010-06-07
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:이시타니테츠지 | 쿠보타다이스케
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020190016995A
  • 申请日:2019-02-01
  • 公开(公告)日:2019-02-19
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:이시타니 테츠지 | 쿠보타 다이스케
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020170029476A
  • 申请日:2017-03-07
  • 公开(公告)日:2017-03-15
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:이시타니테츠지 | 쿠보타다이스케
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2020042300A
  • 申请日:2019-11-29
  • 公开(公告)日:2020-03-19
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:石谷 哲二 | 久保田 大介
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  • 授权日:2019-04-26
  • 公开(公告)号:JP6517990B2
  • 申请日:2018-08-28
  • 公开(公告)日:2019-05-22
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:石谷 哲二 | 久保田 大介
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2015111291A
  • 申请日:2015-02-18
  • 公开(公告)日:2015-06-18
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:石谷 哲二 | 久保田 大介
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2019049703A
  • 申请日:2018-08-28
  • 公开(公告)日:2019-03-28
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:石谷 哲二 | 久保田 大介
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