• 授权日:2013-05-14
  • 公开(公告)号:US8441425
  • 申请日:2009-11-24
  • 公开(公告)日:2013-05-14
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:ISHITANI, TETSUJI | KUBOTA, DAISUKE
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20100134397A1
  • 申请日:2009-11-24
  • 公开(公告)日:2010-06-03
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:ISHITANI, TETSUJI | KUBOTA, DAISUKE
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:EP2192437A1
  • 申请日:2009-11-26
  • 公开(公告)日:2010-06-02
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:ISHITANI, TETSUJI | KUBOTA, DAISUKE
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2010152348A
  • 申请日:2009-11-26
  • 公开(公告)日:2010-07-08
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:石谷 哲二 | 久保田 大介
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2010152348A5
  • 申请日:2009-11-26
  • 公开(公告)日:2012-10-18
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:石谷 哲二 | 久保田 大介
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2020042300A
  • 申请日:2019-11-29
  • 公开(公告)日:2020-03-19
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:石谷 哲二 | 久保田 大介
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN101750820A
  • 申请日:2009-11-27
  • 公开(公告)日:2010-06-23
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:石谷哲二 | 久保田大介
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020190016995A
  • 申请日:2019-02-01
  • 公开(公告)日:2019-02-19
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:이시타니 테츠지 | 쿠보타 다이스케
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020170029476A
  • 申请日:2017-03-07
  • 公开(公告)日:2017-03-15
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:이시타니테츠지 | 쿠보타다이스케
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