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- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN101042840A
- 申请日:2002-11-13
- 公开(公告)日:2007-09-26
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇
- 授权日:2011-12-14
- 公开(公告)号:CN101042840B
- 申请日:2002-11-13
- 公开(公告)日:2011-12-14
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN1419228A
- 申请日:2002-11-13
- 公开(公告)日:2003-05-21
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇
- 授权日:2007-11-21
- 公开(公告)号:CN100350447C
- 申请日:2002-11-13
- 公开(公告)日:2007-11-21
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN101127188A
- 申请日:2002-11-13
- 公开(公告)日:2008-02-20
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20130228783A1
- 申请日:2013-04-03
- 公开(公告)日:2013-09-05
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME
- 授权日:2012-05-02
- 公开(公告)号:CN101127188B
- 申请日:2002-11-13
- 公开(公告)日:2012-05-02
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇
- 授权日:2011-11-15
- 公开(公告)号:US8059068
- 申请日:2007-04-27
- 公开(公告)日:2011-11-15
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20070210720A1
- 申请日:2007-04-27
- 公开(公告)日:2007-09-13
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME