• 授权日:2010-10-26
  • 公开(公告)号:US7821200
  • 申请日:2007-10-18
  • 公开(公告)日:2010-10-26
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAUCHI, YUKIO | FUKUNAGA, TAKESHI
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2013-03-26
  • 公开(公告)号:US8405594
  • 申请日:2010-09-28
  • 公开(公告)日:2013-03-26
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAUCHI, YUKIO | FUKUNAGA, TAKESHI
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20110012818A1
  • 申请日:2010-09-28
  • 公开(公告)日:2011-01-20
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAUCHI, YUKIO | FUKUNAGA, TAKESHI
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2002-09-17
  • 公开(公告)号:US6452341
  • 申请日:2000-06-21
  • 公开(公告)日:2002-09-17
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAUCHI, YUKIO | FUKUNAGA, TAKESHI
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2014-09-09
  • 公开(公告)号:US8830146
  • 申请日:2013-09-19
  • 公开(公告)日:2014-09-09
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAUCHI, YUKIO | FUKUNAGA, TAKESHI
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20140015872A1
  • 申请日:2013-09-19
  • 公开(公告)日:2014-01-16
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAUCHI, YUKIO | FUKUNAGA, TAKESHI
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2001067018A
  • 申请日:2000-06-13
  • 公开(公告)日:2001-03-16
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:山内 幸夫 | 福永 健司
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:2008-09-03
  • 公开(公告)号:CN100417306C
  • 申请日:2000-06-21
  • 公开(公告)日:2008-09-03
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:山内幸夫 | 福永健司
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN1606391A
  • 申请日:2000-06-21
  • 公开(公告)日:2005-04-13
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:山内幸夫 | 福永健司
  • 删除
  • 收藏
  • 注释
首页
< 上一页
下一页 >
末页