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- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2013050738A
- 申请日:2012-11-26
- 公开(公告)日:2013-03-14
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:荒澤 亮 | 豊高 耕平
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2011145667A
- 申请日:2010-12-13
- 公开(公告)日:2011-07-28
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:荒澤 亮 | 豊高 耕平
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2015148621A
- 申请日:2015-03-09
- 公开(公告)日:2015-08-20
- 当前申请(专利权)人:アボツト·モレキユラー·インコーポレイテツド
- 发明人:ジヨン·ラツセル | トレイシー·コルピツツ | エリツク·ラツセル | ステイーブン·フロスト | ハビアー·ラミレス | バワーニ·シン
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2009521692A
- 申请日:2006-12-21
- 公开(公告)日:2009-06-04
- 当前申请(专利权)人:アボット·ラボラトリーズ
- 发明人:ラツセル,ジヨン | コルピツツ,トレイシー | ラツセル,エリツク | フロスト,ステイーブン | ラミレス,ハビアー | シン,バワーニ
- 授权日:2017-03-10
- 公开(公告)号:JP6106700B2
- 申请日:2015-03-09
- 公开(公告)日:2017-04-05
- 当前申请(专利权)人:アボツト·モレキユラー·インコーポレイテツド
- 发明人:ジヨン·ラツセル | トレイシー·コルピツツ | エリツク·ラツセル | ステイーブン·フロスト | ハビアー·ラミレス | バワーニ·シン
- 授权日:2012-12-21
- 公开(公告)号:JP5160447B2
- 申请日:2006-12-21
- 公开(公告)日:2013-03-13
- 当前申请(专利权)人:アボット·ラボラトリーズ
- 发明人:ラツセル,ジヨン | コルピツツ,トレイシー | ラツセル,エリツク | フロスト,ステイーブン | ラミレス,ハビアー | シン,バワーニ
- 授权日:2015-08-11
- 公开(公告)号:US9105256
- 申请日:2014-04-03
- 公开(公告)日:2015-08-11
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:ARASAWA, RYO | TOYOTAKA, KOUHEI
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20140210808A1
- 申请日:2014-04-03
- 公开(公告)日:2014-07-31
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:ARASAWA, RYO | TOYOTAKA, KOUHEI
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2017122921A
- 申请日:2017-02-23
- 公开(公告)日:2017-07-13
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:荒澤 亮 | 豊高 耕平