• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2013050738A
  • 申请日:2012-11-26
  • 公开(公告)日:2013-03-14
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:荒澤 亮 | 豊高 耕平
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2011145667A
  • 申请日:2010-12-13
  • 公开(公告)日:2011-07-28
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:荒澤 亮 | 豊高 耕平
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2015148621A
  • 申请日:2015-03-09
  • 公开(公告)日:2015-08-20
  • 当前申请(专利权)人:アボツト·モレキユラー·インコーポレイテツド
  • 发明人:ジヨン·ラツセル | トレイシー·コルピツツ | エリツク·ラツセル | ステイーブン·フロスト | ハビアー·ラミレス | バワーニ·シン
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2009521692A
  • 申请日:2006-12-21
  • 公开(公告)日:2009-06-04
  • 当前申请(专利权)人:アボット·ラボラトリーズ
  • 发明人:ラツセル,ジヨン | コルピツツ,トレイシー | ラツセル,エリツク | フロスト,ステイーブン | ラミレス,ハビアー | シン,バワーニ
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  • 授权日:2017-03-10
  • 公开(公告)号:JP6106700B2
  • 申请日:2015-03-09
  • 公开(公告)日:2017-04-05
  • 当前申请(专利权)人:アボツト·モレキユラー·インコーポレイテツド
  • 发明人:ジヨン·ラツセル | トレイシー·コルピツツ | エリツク·ラツセル | ステイーブン·フロスト | ハビアー·ラミレス | バワーニ·シン
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  • 授权日:2012-12-21
  • 公开(公告)号:JP5160447B2
  • 申请日:2006-12-21
  • 公开(公告)日:2013-03-13
  • 当前申请(专利权)人:アボット·ラボラトリーズ
  • 发明人:ラツセル,ジヨン | コルピツツ,トレイシー | ラツセル,エリツク | フロスト,ステイーブン | ラミレス,ハビアー | シン,バワーニ
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  • 授权日:2015-08-11
  • 公开(公告)号:US9105256
  • 申请日:2014-04-03
  • 公开(公告)日:2015-08-11
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:ARASAWA, RYO | TOYOTAKA, KOUHEI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20140210808A1
  • 申请日:2014-04-03
  • 公开(公告)日:2014-07-31
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:ARASAWA, RYO | TOYOTAKA, KOUHEI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2017122921A
  • 申请日:2017-02-23
  • 公开(公告)日:2017-07-13
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:荒澤 亮 | 豊高 耕平
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