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- 授权日:2014-12-10
- 公开(公告)号:EP2018052B1
- 申请日:2008-02-20
- 公开(公告)日:2014-12-10
- 当前申请(专利权)人:SONY CORPORATION
- 发明人:MIYAZAKI, SHINICHIRO | MURAKAMI, ICHIRO | NISHI, TORU
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:KR1020090113751A
- 申请日:2008-02-20
- 公开(公告)日:2009-11-02
- 当前申请(专利权)人:소니 주식회사
- 发明人:미야자키신이치로 | 무라카미이치로 | 니시토루
- 授权日:2015-05-18
- 公开(公告)号:KR101522736B1
- 申请日:2008-02-20
- 公开(公告)日:2015-05-26
- 当前申请(专利权)人:소니 주식회사
- 发明人:미야자키신이치로 | 무라카미이치로 | 니시토루
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20090184916A1
- 申请日:2008-02-20
- 公开(公告)日:2009-07-23
- 当前申请(专利权)人:SATURN LICENSING LLC
- 发明人:MIYAZAKI, SHINICHIRO | MURAKAMI, ICHIRO | NISHI, TORU
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20100177269A1
- 申请日:2010-03-24
- 公开(公告)日:2010-07-15
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME
- 授权日:2010-10-26
- 公开(公告)号:US7821613
- 申请日:2006-12-21
- 公开(公告)日:2010-10-26
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20190324321A1
- 申请日:2019-07-03
- 公开(公告)日:2019-10-24
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME
- 授权日:2019-10-15
- 公开(公告)号:US10444564
- 申请日:2019-07-03
- 公开(公告)日:2019-10-15
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20180024402A1
- 申请日:2017-07-10
- 公开(公告)日:2018-01-25
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME