• 授权日:2016-02-02
  • 公开(公告)号:US9251748
  • 申请日:2014-11-20
  • 公开(公告)日:2016-02-02
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KOYAMA, JUN | MIYAKE, HIROYUKI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20150154925A1
  • 申请日:2014-11-20
  • 公开(公告)日:2015-06-04
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KOYAMA, JUN | MIYAKE, HIROYUKI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020150135540A
  • 申请日:2010-11-22
  • 公开(公告)日:2015-12-02
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:고야마준 | 미야께히로유끼
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  • 授权日:2017-07-25
  • 公开(公告)号:KR101763508B1
  • 申请日:2010-11-22
  • 公开(公告)日:2017-07-31
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:고야마준 | 미야께히로유끼
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  • 授权日:2017-07-20
  • 公开(公告)号:KR101761957B1
  • 申请日:2010-11-22
  • 公开(公告)日:2017-07-26
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:고야마준 | 미야께히로유끼
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020200006636A
  • 申请日:2010-11-22
  • 公开(公告)日:2020-01-20
  • 当前申请(专利权)人:가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
  • 发明人:고야마 준 | 미야께 히로유끼
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  • 授权日:2016-08-03
  • 公开(公告)号:CN102656625B
  • 申请日:2010-11-22
  • 公开(公告)日:2016-08-03
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:小山润 | 三宅博之
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN102656625A
  • 申请日:2010-11-22
  • 公开(公告)日:2012-09-05
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:小山润 | 三宅博之
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2012256052A
  • 申请日:2012-06-25
  • 公开(公告)日:2012-12-27
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:小山 潤 | 三宅 博之
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