• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20160164028A1
  • 申请日:2016-01-29
  • 公开(公告)日:2016-06-09
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:SAKAKURA, MASAYUKI | GODO, HIROMICHI | TSUCHIYA, KAORU
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  • 授权日:2016-11-29
  • 公开(公告)号:US9508953
  • 申请日:2016-01-29
  • 公开(公告)日:2016-11-29
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:SAKAKURA, MASAYUKI | GODO, HIROMICHI | TSUCHIYA, KAORU
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20150129858A1
  • 申请日:2014-12-01
  • 公开(公告)日:2015-05-14
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:SAKAKURA, MASAYUKI | GODO, HIROMICHI | TSUCHIYA, KAORU
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  • 授权日:2014-08-06
  • 公开(公告)号:CN102347454B
  • 申请日:2004-06-26
  • 公开(公告)日:2014-08-06
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:坂仓真之 | 乡户宏充 | 土屋薰
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN102347454A
  • 申请日:2004-06-26
  • 公开(公告)日:2012-02-08
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:坂仓真之 | 乡户宏充 | 土屋薰
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  • 授权日:2017-10-03
  • 公开(公告)号:US9780329
  • 申请日:2016-11-23
  • 公开(公告)日:2017-10-03
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:SAKAKURA, MASAYUKI | GODO, HIROMICHI | TSUCHIYA, KAORU
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  • 授权日:2014-12-24
  • 公开(公告)号:EP1492390B1
  • 申请日:2004-06-17
  • 公开(公告)日:2014-12-24
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:SAKAKURA, MASAYUKI | GODO, HIROMICHI | TSUCHIYA, KAORU
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:EP1492390A3
  • 申请日:2004-06-17
  • 公开(公告)日:2010-03-31
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:SAKAKURA, MASAYUKI | GODO, HIROMICHI | TSUCHIYA, KAORU
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:EP1492390A2
  • 申请日:2004-06-17
  • 公开(公告)日:2004-12-29
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:SAKAKURA, MASAYUKI | GODO, HIROMICHI | TSUCHIYA, KAORU
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