• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20140231807A1
  • 申请日:2014-04-28
  • 公开(公告)日:2014-08-21
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN101262813A
  • 申请日:2006-08-07
  • 公开(公告)日:2008-09-10
  • 当前申请(专利权)人:内尔科尔普里坦贝内特公司
  • 发明人:达赖厄斯・埃格巴尔 | 约瑟夫・科克利 | 乔治・L・马特洛克 | 威廉・拉里丹
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:EP1926421A1
  • 申请日:2006-08-07
  • 公开(公告)日:2008-06-04
  • 当前申请(专利权)人:NELLCOR PURITAN BENNETT LLC
  • 发明人:EGHBAL, DARIUS | COAKLEY, JOSEPH | MATLOCK, GEORGE, L. | RARIDAN, WILLIAM
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  • 授权日:2015-03-31
  • 公开(公告)号:US8991034
  • 申请日:2012-10-22
  • 公开(公告)日:2015-03-31
  • 当前申请(专利权)人:COVIDIEN LP
  • 发明人:EGHBAL, DARIUS | RARIDAN, WILLIAM | COAKLEY, JOSEPH | MATLOCK, GEORGE L.
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:KR1020040014509A
  • 申请日:2002-04-22
  • 公开(公告)日:2004-02-14
  • 当前申请(专利权)人:카디오네트, 인코포레이티드
  • 发明人:에거스필립엔 | 시비어론엠
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2008287032A
  • 申请日:2007-05-17
  • 公开(公告)日:2008-11-27
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20080297676A1
  • 申请日:2008-05-12
  • 公开(公告)日:2008-12-04
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20190324307A1
  • 申请日:2019-04-29
  • 公开(公告)日:2019-10-24
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2014-05-16
  • 公开(公告)号:JP5542297B2
  • 申请日:2007-05-17
  • 公开(公告)日:2014-07-09
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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