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- 授权日:2019-02-12
- 公开(公告)号:US10203571
- 申请日:2017-11-30
- 公开(公告)日:2019-02-12
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
- 授权日:2011-02-01
- 公开(公告)号:US7880836
- 申请日:2010-06-16
- 公开(公告)日:2011-02-01
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
- 授权日:2015-07-15
- 公开(公告)号:EP2479605B1
- 申请日:2006-11-29
- 公开(公告)日:2015-07-15
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
- 授权日:2015-07-15
- 公开(公告)号:EP2479604B1
- 申请日:2006-11-29
- 公开(公告)日:2015-07-15
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN102360142A
- 申请日:2006-11-29
- 公开(公告)日:2012-02-22
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇 | 鱼地秀贵
- 授权日:2015-11-25
- 公开(公告)号:CN102331638B
- 申请日:2006-11-29
- 公开(公告)日:2015-11-25
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇 | 鱼地秀贵
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN101322066A
- 申请日:2006-11-29
- 公开(公告)日:2008-12-10
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇 | 鱼地秀贵
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN102331639A
- 申请日:2006-11-29
- 公开(公告)日:2012-01-25
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇 | 鱼地秀贵
- 授权日:2016-03-30
- 公开(公告)号:CN102360142B
- 申请日:2006-11-29
- 公开(公告)日:2016-03-30
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇 | 鱼地秀贵