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- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN102116974A
- 申请日:2006-11-29
- 公开(公告)日:2011-07-06
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇 | 鱼地秀贵
- 授权日:2012-11-21
- 公开(公告)号:CN102116974B
- 申请日:2006-11-29
- 公开(公告)日:2012-11-21
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇 | 鱼地秀贵
- 授权日:2012-06-01
- 公开(公告)号:JP5005076B2
- 申请日:2010-07-30
- 公开(公告)日:2012-08-22
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN102331638A
- 申请日:2006-11-29
- 公开(公告)日:2012-01-25
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇 | 鱼地秀贵
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20100245749A1
- 申请日:2010-06-16
- 公开(公告)日:2010-09-30
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:EP2479604A3
- 申请日:2006-11-29
- 公开(公告)日:2012-09-26
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:EP2479604A2
- 申请日:2006-11-29
- 公开(公告)日:2012-07-25
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
- 授权日:2017-04-12
- 公开(公告)号:EP1958019B1
- 申请日:2006-11-29
- 公开(公告)日:2017-04-12
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:EP1958019A4
- 申请日:2006-11-29
- 公开(公告)日:2010-03-03
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI