• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:EP2340300A4
  • 申请日:2009-09-24
  • 公开(公告)日:2012-04-11
  • 当前申请(专利权)人:STRAUS HOLDINGS INC.
  • 发明人:ABRAMS, EZRA | GITE, SADANAND | SHINEFELD, LISA | STRAUS, DON | SIEK, GORDON | YANTZ, GREG
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2012503780A5
  • 申请日:2009-09-24
  • 公开(公告)日:2014-07-24
  • 当前申请(专利权)人:ストラウス ホールディングス インコーポレイテッド
  • 发明人:アブラムス エズラ | ガイト サダナンド | シネフェルド リサ | ストラウス ドン | シーク ゴードン | ヤンツ グレッグ
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2012503780A
  • 申请日:2009-09-24
  • 公开(公告)日:2012-02-09
  • 当前申请(专利权)人:ストラウス ホールディングス インコーポレイテッド
  • 发明人:アブラムス エズラ | ガイト サダナンド | シネフェルド リサ | ストラウス ドン | シーク ゴードン | ヤンツ グレッグ
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标题
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2017062509A
  • 申请日:2016-12-21
  • 公开(公告)日:2017-03-30
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:山崎 舜平 | 荒澤 亮 | 小山 潤 | 津吹 将志 | 野田 耕生
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2011141522A5
  • 申请日:2010-10-12
  • 公开(公告)日:2013-10-17
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:山崎 舜平 | 荒澤 亮 | 小山 潤 | 津吹 将志 | 野田 耕生
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  • 注释
  • 授权日:2014-10-07
  • 公开(公告)号:US8854286
  • 申请日:2010-10-08
  • 公开(公告)日:2014-10-07
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAZAKI, SHUNPEI | ARASAWA, RYO | KOYAMA, JUN | TSUBUKU, MASASHI | NODA, KOSEI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2018180562A
  • 申请日:2018-07-30
  • 公开(公告)日:2018-11-15
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:山崎 舜平 | 荒澤 亮 | 小山 潤 | 津吹 将志 | 野田 耕生
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2017062509A5
  • 申请日:2016-12-21
  • 公开(公告)日:2017-06-01
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:山崎 舜平 | 荒澤 亮 | 小山 潤 | 津吹 将志 | 野田 耕生
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20180090086A1
  • 申请日:2017-11-28
  • 公开(公告)日:2018-03-29
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:YAMAZAKI, SHUNPEI | ARASAWA, RYO | KOYAMA, JUN | TSUBUKU, MASASHI | NODA, KOSEI
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