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- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2014056246A5
- 申请日:2013-10-07
- 公开(公告)日:2014-06-05
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:2015-12-08
- 公开(公告)号:US9207504
- 申请日:2010-10-14
- 公开(公告)日:2015-12-08
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20160154283A1
- 申请日:2015-12-03
- 公开(公告)日:2016-06-02
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME
- 授权日:2020-06-16
- 公开(公告)号:US10684517
- 申请日:2018-04-26
- 公开(公告)日:2020-06-16
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:CN101051134A
- 申请日:2007-04-06
- 公开(公告)日:2007-10-10
- 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
- 发明人:木村肇
- 授权日:2015-12-15
- 公开(公告)号:US9213206
- 申请日:2007-04-03
- 公开(公告)日:2015-12-15
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:EP1843194A1
- 申请日:2007-03-20
- 公开(公告)日:2007-10-10
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KIMURA, HAJIME
- 授权日:2013-06-14
- 公开(公告)号:JP5288665B2
- 申请日:2012-10-16
- 公开(公告)日:2013-09-11
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2013254222A
- 申请日:2013-08-23
- 公开(公告)日:2013-12-19
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:木村 肇