• 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2014056246A5
  • 申请日:2013-10-07
  • 公开(公告)日:2014-06-05
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:2015-12-08
  • 公开(公告)号:US9207504
  • 申请日:2010-10-14
  • 公开(公告)日:2015-12-08
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20160154283A1
  • 申请日:2015-12-03
  • 公开(公告)日:2016-06-02
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2020-06-16
  • 公开(公告)号:US10684517
  • 申请日:2018-04-26
  • 公开(公告)日:2020-06-16
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN101051134A
  • 申请日:2007-04-06
  • 公开(公告)日:2007-10-10
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇
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  • 授权日:2015-12-15
  • 公开(公告)号:US9213206
  • 申请日:2007-04-03
  • 公开(公告)日:2015-12-15
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:EP1843194A1
  • 申请日:2007-03-20
  • 公开(公告)日:2007-10-10
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME
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  • 授权日:2013-06-14
  • 公开(公告)号:JP5288665B2
  • 申请日:2012-10-16
  • 公开(公告)日:2013-09-11
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2013254222A
  • 申请日:2013-08-23
  • 公开(公告)日:2013-12-19
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇
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