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- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2016075954A
- 申请日:2016-01-08
- 公开(公告)日:2016-05-12
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:小山 潤
- 授权日:2011-10-11
- 公开(公告)号:US8035583
- 申请日:2006-12-13
- 公开(公告)日:2011-10-11
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KOYAMA, JUN
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2015132835A
- 申请日:2015-02-24
- 公开(公告)日:2015-07-23
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:小山 潤
- 授权日:2016-11-08
- 公开(公告)号:US9489884
- 申请日:2013-08-08
- 公开(公告)日:2016-11-08
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KOYAMA, JUN
- 授权日:2013-08-13
- 公开(公告)号:US8508439
- 申请日:2011-10-10
- 公开(公告)日:2013-08-13
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KOYAMA, JUN
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20120092236A1
- 申请日:2011-10-10
- 公开(公告)日:2012-04-19
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KOYAMA, JUN
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:JP2012177928A
- 申请日:2012-04-25
- 公开(公告)日:2012-09-13
- 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:小山 潤
- 授权日:1900-01-01
- 公开(公告)号:US20070085783A1
- 申请日:2006-12-13
- 公开(公告)日:2007-04-19
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KOYAMA, JUN
- 授权日:2005-04-12
- 公开(公告)号:US6879110
- 申请日:2001-07-23
- 公开(公告)日:2005-04-12
- 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 发明人:KOYAMA, JUN