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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2011123491A
  • 申请日:2010-12-08
  • 公开(公告)日:2011-06-23
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:小山 潤
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:EP1087366A3
  • 申请日:2000-09-22
  • 公开(公告)日:2002-10-23
  • 当前申请(专利权)人:SEL SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KOYAMA, JUN, SEMICONDUCTOR ENERGY LAB. CO. LTD.
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:EP1087366A2
  • 申请日:2000-09-22
  • 公开(公告)日:2001-03-28
  • 当前申请(专利权)人:SEL SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KOYAMA, JUN, SEMICONDUCTOR ENERGY LAB. CO. LTD.
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  • 注释
  • 授权日:2006-08-09
  • 公开(公告)号:EP1087366B1
  • 申请日:2000-09-22
  • 公开(公告)日:2006-08-09
  • 当前申请(专利权)人:SEL SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KOYAMA, JUN, SEMICONDUCTOR ENERGY LAB. CO. LTD.
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  • 注释
  • 授权日:2011-08-10
  • 公开(公告)号:EP1713054B1
  • 申请日:2000-09-22
  • 公开(公告)日:2011-08-10
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KOYAMA, JUN
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2008532477A
  • 申请日:2006-02-09
  • 公开(公告)日:2008-08-21
  • 当前申请(专利权)人:オンコセラピー·サイエンス株式会社
  • 发明人:中村 祐輔 | 片桐 豊雅 | 中鶴 修一
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  • 注释
  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2008532477A5
  • 申请日:2006-02-09
  • 公开(公告)日:2009-03-19
  • 当前申请(专利权)人:オンコセラピー·サイエンス株式会社
  • 发明人:中村 祐輔 | 片桐 豊雅 | 中鶴 修一
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  • 授权日:2003-04-01
  • 公开(公告)号:US6540673
  • 申请日:2000-12-19
  • 公开(公告)日:2003-04-01
  • 当前申请(专利权)人:INDEEMD.COM, INC.
  • 发明人:GOPINATHAN, GOVINDAN | TILFORD, ARTHUR R.
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  • 注释
  • 授权日:2010-07-13
  • 公开(公告)号:US7753845
  • 申请日:2003-03-27
  • 公开(公告)日:2010-07-13
  • 当前申请(专利权)人:INEEDMD.COM, INC.
  • 发明人:GOPINATHAN, GOVINDAN | TILFORD, ARTHUR R.
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