• 授权日:2004-12-14
  • 公开(公告)号:US6831408
  • 申请日:2003-03-24
  • 公开(公告)日:2004-12-14
  • 当前申请(专利权)人:SONY CORPORATION
  • 发明人:HIRANO, TAKASHI | YAMADA, JIRO | CHIBA, YASUHIRO | ASANO, MITSURU
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20030099627A1
  • 申请日:2002-06-03
  • 公开(公告)日:2003-05-29
  • 当前申请(专利权)人:LUDWIG INSTITUTE FOR CANCER RESEARCH
  • 发明人:VANHAESEBROECK, BART | WATERFIELD, MICHAEL DEREK
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20030099627A1
  • 申请日:2002-06-03
  • 公开(公告)日:2003-05-29
  • 当前申请(专利权)人:LUDWIG INSTITUTE FOR CANCER RESEARCH
  • 发明人:VANHAESEBROECK, BART | WATERFIELD, MICHAEL DEREK
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  • 授权日:2004-03-02
  • 公开(公告)号:US6700330
  • 申请日:2002-12-10
  • 公开(公告)日:2004-03-02
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KOYAMA, JUN
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20030117083A1
  • 申请日:2002-12-10
  • 公开(公告)日:2003-06-26
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KOYAMA, JUN
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  • 授权日:2002-12-31
  • 公开(公告)号:US6501227
  • 申请日:2000-09-21
  • 公开(公告)日:2002-12-31
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KOYAMA, JUN
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  • 授权日:2011-08-10
  • 公开(公告)号:EP1713054B1
  • 申请日:2000-09-22
  • 公开(公告)日:2011-08-10
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KOYAMA, JUN
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  • 授权日:2013-01-09
  • 公开(公告)号:EP2306442B1
  • 申请日:2000-09-22
  • 公开(公告)日:2013-01-09
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO, LTD.
  • 发明人:KOYAMA, JUN
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN101083271A
  • 申请日:2000-09-25
  • 公开(公告)日:2007-12-05
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:小山润
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