• 授权日:2018-02-27
  • 公开(公告)号:US9904127
  • 申请日:2017-01-04
  • 公开(公告)日:2018-02-27
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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  • 授权日:2013-12-31
  • 公开(公告)号:US8619227
  • 申请日:2012-04-10
  • 公开(公告)日:2013-12-31
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20170115538A1
  • 申请日:2017-01-04
  • 公开(公告)日:2017-04-27
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20120194758A1
  • 申请日:2012-04-10
  • 公开(公告)日:2012-08-02
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:US20200150474A1
  • 申请日:2020-01-07
  • 公开(公告)日:2020-05-14
  • 当前申请(专利权)人:SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
  • 发明人:KIMURA, HAJIME | UOCHI, HIDEKI
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:CN1979275A
  • 申请日:2006-12-05
  • 公开(公告)日:2007-06-13
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇 | 鱼地秀贵
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  • 授权日:2013-03-27
  • 公开(公告)号:CN1979275B
  • 申请日:2006-12-05
  • 公开(公告)日:2013-03-27
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
  • 发明人:木村肇 | 鱼地秀贵
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2019191614A
  • 申请日:2019-08-07
  • 公开(公告)日:2019-10-31
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
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  • 授权日:1900-01-01
  • 公开(公告)号:JP2019168726A
  • 申请日:2019-06-28
  • 公开(公告)日:2019-10-03
  • 当前申请(专利权)人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • 发明人:木村 肇 | 魚地 秀貴
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