标题：
Method of fabricating polycrystalline silicon thin film for improving crystallization characteristics and method of fabricating liquid crystal display device using the same
授权日：
1900-01-01
公开(公告)号：
US20040266078A1
申请日：
2003-09-15
公开(公告)日：
2004-12-30
当前申请(专利权)人：
LG DISPLAY CO., LTD.
发明人：
KIM, SANG HYUN
简单同族：
KR100753568B1 | KR1020050003283A | US20040266078A1 | US20060189052A1 | US20100129970A1 | US7153762 | US7635640 | US8119469
简单同族成员数量：
8
简单同族被引用专利总数：
27
诉讼案件数：
0
法律状态/事件：
授权 | 权利转移