当前申请(专利权)人:
株式会社半導体エネルギー研究所
简单同族:
JP2013123039A | JP2013123039A5 | JP2017156754A | JP2018163376A | JP2020073964A | JP6122275B2 | JP6370435B2 | JP6594494B2 | KR1020130052723A | KR1020190120149A | KR102036376B1 | TW201327838A | TWI544643B | US20130120701A1 | US20150255613A1 | US8988625 | US9219163