当前申请(专利权)人:
株式会社半導体エネルギー研究所
简单同族:
JP2011248351A | JP2011248351A5 | JP2015200897A | JP2016173586A | JP2017120443A | JP6111363B2 | KR101852750B1 | KR1020110120228A | TW201202802A | TWI539210B | US10068533 | US20110267330A1 | US20160225325A1 | US9349325