当前申请(专利权)人:
株式会社半導体エネルギー研究所
简单同族:
CN100437709C | CN101399006A | CN101399006B | CN1339773A | EP1182638A2 | EP1182638A3 | EP1182638B1 | JP2013011901A | JP5509281B2 | KR100764181B1 | KR1020020026801A | TW518552B | US20020021274A1 | US20070164961A1 | US7224339 | US8760376