当前申请(专利权)人:
株式会社半導体エネルギー研究所
发明人:
石谷 哲二 | 久保田 大介 | 西 毅
简单同族:
CN101794040A | JP2010170119A | JP2010170119A5 | JP2014187373A | JP5546236B2 | KR101719350B1 | KR1020100075739A | TW201040634A | TW201530232A | TWI491961B | TWI656388B | US20100165255A1 | US20140377893A1