当前申请(专利权)人:
株式会社半導体エネルギー研究所
发明人:
吉住 英子 | 下垣 智子 | 瀬尾 哲史
简单同族:
CN101679467A | CN101679467B | CN103319540A | CN103319540B | CN105669765A | EP2147006A1 | EP2147006A4 | EP2147006B1 | JP2009001546A | JP2010174035A | JP2010174035A5 | JP2013243369A | JP2015005781A | JP2016036051A | JP2017063227A | JP2019024015A | JP2020057795A | JP4657320B2 | JP5298065B2 | JP5624177B2 | JP5851005B2 | JP6425703B2 | JP6628854B2 | KR101324155B1 | KR101547159B1 | KR1020100017538A | KR1020130027582A | TW200902681A | TW201319219A | TWI402328B | TWI609066B | US10079350B2 | US20080286604A1 | US20150221879A1 | US20160336521A1 | US9012036B2 | US9406895B2 | WO2008143113A1