当前申请(专利权)人:
株式会社半導体エネルギー研究所
发明人:
張 宏勇 | 山口 直明 | 竹村 保彦
简单同族:
JP1998010579A | JP2000206896A | JP3126661B2 | JP3901902B2 | US20010029071A1 | US20030047783A1 | US20050146667A1 | US20070182873A1 | US5982460 | US6246453 | US6475837 | US6914260 | US7206053 | US7542103