标题：
局部的に酸化された多孔質シリコンからなる装置、および、その製造方法
授权日：
2008-05-16
公开(公告)号：
JP4125244B2
申请日：
2003-03-28
公开(公告)日：
2008-07-30
当前申请(专利权)人：
インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト
发明人：
デアティンガー,シュテファン | フリッツ,ミヒャエラ | フックス,カリン | ハネダー,トーマス | レーマン,フォルカー | マルティン,アルフレット | メルツ,ラインハルト
简单同族：
CN1319649C | CN1646224A | DE10217569A1 | DE50305038D1 | EP1497030A2 | EP1497030B1 | JP2006512563A | JP4125244B2 | US20050233438A1 | US7410794 | WO2003089925A2 | WO2003089925A3
简单同族成员数量：
12
简单同族被引用专利总数：
21
诉讼案件数：
0
法律状态/事件：
未缴年费