标题：
미세가공 정전용량형 초음파 트랜스듀서, 프로브 및 그 제조방법
授权日：
1900-01-01
公开(公告)号：
KR1020180030777A
申请日：
2015-07-15
公开(公告)日：
2018-03-26
当前申请(专利权)人：
삼성전자주식회사
发明人：
김영일 | 조경일 | 김배형 | 송종근 | 이은성 | 최민석
简单同族：
KR1020180030777A | US20180214126A1 | WO2017010590A1
简单同族成员数量：
3
简单同族被引用专利总数：
0
诉讼案件数：
0
法律状态/事件：
公开