标题：
反应溅射氧化铱修饰的微电极阵列及其制备方法
授权日：
2015-07-08
公开(公告)号：
CN103301566B
申请日：
2013-05-21
公开(公告)日：
2015-07-08
当前申请(专利权)人：
上海交通大学
发明人：
刘景全 | 康晓洋 | 田鸿昌 | 杨斌 | 朱红英 | 杨春生
简单同族：
CN103301566A | CN103301566B
简单同族成员数量：
2
简单同族被引用专利总数：
1
诉讼案件数：
0
法律状态/事件：
授权