标题：
유기전계 발광소자 제조방법 및 이의 고분자 유기막 패턴 형성방법
授权日：
2008-04-29
公开(公告)号：
KR100827617B1
申请日：
2002-02-22
公开(公告)日：
2008-05-07
当前申请(专利权)人：
엘지디스플레이 주식회사
发明人：
KIM,JINOOK
简单同族：
KR100827617B1 | KR1020030069695A
简单同族成员数量：
2
简单同族被引用专利总数：
5
诉讼案件数：
0
法律状态/事件：
授权